屏蔽線接地通常采用兩種方式來處理：屏蔽層單端接地和屏蔽層雙端接地。
①屏蔽層單端接地是在屏蔽電纜的一端將金屬屏蔽層直接接地，另一端不接地或通過保護接地。
在屏蔽層單端接地情況下，非接地端的金屬屏蔽層對地之間有感應電壓存在，感應電壓與電纜的長度成正比，但屏蔽層無電勢環流通過，單端接地就是利用抑制電勢電位差達到消除電磁干擾的目的。
這種接地方式適合長度較短的線路，電纜長度所對應的感應電壓不能超過安全電壓，靜電感應電壓的存在將影響電路信號的穩定，有時可能會形成天線效應。
②雙端接地是將屏蔽電纜的金屬屏蔽層的兩端均連接接地。
在屏蔽層雙端接地情況下，金屬屏蔽層不會產生感應電壓，但金屬屏蔽層受干擾磁通影響將產生屏蔽環流通過，如果地點A和地點B的電勢不相等，將形成很大的電勢環流，環流會對信號產生抵消衰減效果不利于屏蔽，動力電纜線兩邊接地，電機端的PE必然要接在驅動端的PE上，并較終接入機箱內的大地匯流排。
針對不同電機的驅動器拓撲結構，電流傳感器的采樣位置是有區別的，用電阻采樣還是隔離采樣，需采樣電阻的隔離電流傳感器和霍爾電流傳感器，具體結論如下：。
繞組電流經采樣電阻直接流入直流側的拓撲結構，火花塞，可選用電阻進行采樣，對每相電流需經其它兩相回路流過的拓撲結構，如圖4的三相導通的控制策略，需用隔離采樣的電流傳感器，集成電路IR2171/2172的帶寬較窄，典型值為15KHz，PWM輸出，與微控制器連接導致頻繁的中斷，在小功率驅動電路中，和高壓浮動MOS柵極集成電路共同使用性價比較高，摩托車火花塞，線性隔離光耦有較高的線性度，共模電壓抑制比（CMR），較低的溫度漂移。 |
